casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BD13710S
codice articolo del costruttore | BD13710S |
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Numero di parte futuro | FT-BD13710S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD13710S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
Potenza - Max | 1.25W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-126-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD13710S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD13710S-FT |
MMBT3906T
ON Semiconductor
MMBT3904T
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MMBT2222AT
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KSA1156YS
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BD14016S
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BD676AS
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BD13510STU
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M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F484C8N
Intel
EP2C50U484C7
Intel
10M02SCU169C8G
Intel
EP3SE80F1152I3N
Intel
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EPF10K50VQC240-1
Intel