casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCW68GLT1G
codice articolo del costruttore | BCW68GLT1G |
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Numero di parte futuro | FT-BCW68GLT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCW68GLT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 30mA, 300mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCW68GLT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCW68GLT1G-FT |
2N6045
ON Semiconductor
2N6288
ON Semiconductor
2N6292
ON Semiconductor
2N6387
ON Semiconductor
2N6487
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2N6490
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2N6667
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BD242C
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AGL030V2-QNG68
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M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
XC3090L-8PC84C
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XC4010E-4HQ208I
Xilinx Inc.
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5AGXFB7H6F35C6N
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EP20K200EQC240-3N
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