casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCW60BE6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BCW60BE6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCW60BE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCW60BE6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 330mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCW60BE6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCW60BE6327HTSA1-FT |
BC80825MTF
ON Semiconductor
BC80840MTF
ON Semiconductor
BC81716MTF
ON Semiconductor
BC81725MTF
ON Semiconductor
BC81740MTF
ON Semiconductor
BC81740NMMTF
ON Semiconductor
BC817K16E6327HTSA1
Infineon Technologies
BC817K16E6433HTMA1
Infineon Technologies
BC817K25E6433HTMA1
Infineon Technologies
BC817K40E6327HTSA1
Infineon Technologies
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
5SGXEA3K2F40C2N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
Intel
EP20K100QC240-1
Intel
EP20K60EQI208-2X
Intel