casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCW60BE6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BCW60BE6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCW60BE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCW60BE6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 330mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCW60BE6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCW60BE6327HTSA1-FT |
BC80825MTF
ON Semiconductor
BC80840MTF
ON Semiconductor
BC81716MTF
ON Semiconductor
BC81725MTF
ON Semiconductor
BC81740MTF
ON Semiconductor
BC81740NMMTF
ON Semiconductor
BC817K16E6327HTSA1
Infineon Technologies
BC817K16E6433HTMA1
Infineon Technologies
BC817K25E6433HTMA1
Infineon Technologies
BC817K40E6327HTSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100
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EP3C55U484C7N
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5SGXEA9N3F45I4N
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AGL600V5-FG144I
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LCMXO2280E-4FT324C
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LFE3-95E-8FN672C
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LCMXO2-4000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
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