casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / BCR 133S H6444
codice articolo del costruttore | BCR 133S H6444 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BCR 133S H6444 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR 133S H6444 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 130MHz |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 133S H6444 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR 133S H6444-FT |
UMC2NT1G
ON Semiconductor
PEMH10,115
Nexperia USA Inc.
PEMH15,115
Nexperia USA Inc.
PEMB11,115
Nexperia USA Inc.
PEMD9,115
Nexperia USA Inc.
PEMH13,115
Nexperia USA Inc.
PEMH11,115
Nexperia USA Inc.
PEMD16,115
Nexperia USA Inc.
PEMD3,115
Nexperia USA Inc.
PEMD4,115
Nexperia USA Inc.