casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR133E6433HTMA1
codice articolo del costruttore | BCR133E6433HTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCR133E6433HTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR133E6433HTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 130MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR133E6433HTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR133E6433HTMA1-FT |
DRA2123Y0L
Panasonic Electronic Components
DRC2124T0L
Panasonic Electronic Components
DRC2143X0L
Panasonic Electronic Components
DRC2143Z0L
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DRC2144V0L
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Micro Commercial Co
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XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC2V6000-4FF1517I
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XC3S250E-4PQG208C
Xilinx Inc.
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EP4S100G2F40I2
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S2F45I2SGES
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EP4CE40F29C6N
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EP1C6Q240C6
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