casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCP49H6359XTMA1
codice articolo del costruttore | BCP49H6359XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCP49H6359XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCP49H6359XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 1.5W |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCP49H6359XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCP49H6359XTMA1-FT |
PHPT61002PYCLHX
Nexperia USA Inc.
PHPT61002PYCX
Nexperia USA Inc.
LP395Z/NOPB
Texas Instruments
LP395Z/LFT1
Texas Instruments
2N2907AUB
Microsemi Corporation
JANTXV2N2369AUB
Microsemi Corporation
JANTXV2N2907AUB
Microsemi Corporation
JANTX2N2907AUB
Microsemi Corporation
2N3500
Microsemi Corporation
2N3019S
Microsemi Corporation
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel