casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC858W,135
codice articolo del costruttore | BC858W,135 |
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Numero di parte futuro | FT-BC858W,135 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC858W,135 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC858W,135 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC858W,135-FT |
BC807-40W,115
Nexperia USA Inc.
PMST2222A,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4160U,115
Nexperia USA Inc.
2PA1576S,115
Nexperia USA Inc.
BC857W,115
Nexperia USA Inc.
BFS20W,115
Nexperia USA Inc.
BC807-16W,115
Nexperia USA Inc.
BC807W,115
Nexperia USA Inc.
PMST2907A,115
Nexperia USA Inc.
BF820W,135
Nexperia USA Inc.
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP1AGX60EF1152I6N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel