casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC857AW-7-F
codice articolo del costruttore | BC857AW-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-BC857AW-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC857AW-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC857AW-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC857AW-7-F-FT |
FMMT717TC
Diodes Incorporated
FMMT720TC
Diodes Incorporated
FMMT722TC
Diodes Incorporated
FMMT723TC
Diodes Incorporated
FMMT734TC
Diodes Incorporated
FMMTA06TC
Diodes Incorporated
FMMTA13TC
Diodes Incorporated
FMMTA14TC
Diodes Incorporated
FMMTA42TC
Diodes Incorporated
FMMTA56TC
Diodes Incorporated
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel