casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BC856BS/DG/B2,115
codice articolo del costruttore | BC856BS/DG/B2,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BC856BS/DG/B2,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC856BS/DG/B2,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856BS/DG/B2,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC856BS/DG/B2,115-FT |
ZXTD617MCTA
Diodes Incorporated
ZXTD618MCTA
Diodes Incorporated
TPCP8701(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCP8901(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage
ZXTP56060FDBQ-7
Diodes Incorporated
BC807DSF
Nexperia USA Inc.
BC817DPNF
Nexperia USA Inc.
BC846SF
Nexperia USA Inc.
BC846SZ
Nexperia USA Inc.
BCM856BSF
Nexperia USA Inc.
A1010B-1VQG80I
Microsemi Corporation
AGLN020V5-QNG68
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
APA450-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F45I2L
Intel
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF1020C5
Intel
EP20K1000CF33C8
Intel