casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC856B/DG/B3,215
codice articolo del costruttore | BC856B/DG/B3,215 |
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Numero di parte futuro | FT-BC856B/DG/B3,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC856B/DG/B3,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856B/DG/B3,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC856B/DG/B3,215-FT |
2SB892T-AE
ON Semiconductor
2SC2334(13)-S6-AZ
Renesas Electronics America
2SC3665-Y(T2NSW,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3665-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3665-Y,T2NSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3665-Y,T2YNSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3668-O,T2CLAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3668-Y,F2PANF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3668-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3668-Y,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation