casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC849B-TP
codice articolo del costruttore | BC849B-TP |
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Numero di parte futuro | FT-BC849B-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC849B-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 225mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC849B-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC849B-TP-FT |
2SD0601ASL
Panasonic Electronic Components
2SD0602A0L
Panasonic Electronic Components
2SD0602AQL
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2SD0602ARL
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2SD0602ASL
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2SD0814ARL
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2SD0814ASL
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2SD10300RL
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2SD11490RL
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2SD11490SL
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A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
5SGXMA7H2F35C3
Intel
EP2SGX90EF1152I4
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
Intel
10AX022E3F29I1HG
Intel