casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BC847PN-7-F
codice articolo del costruttore | BC847PN-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-BC847PN-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC847PN-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz, 200MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC847PN-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC847PN-7-F-FT |
BCV62CE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCV65,215
Nexperia USA Inc.
DST847BPDP6-7
Diodes Incorporated
DST857BDJ-7
Diodes Incorporated
DST3906DJ-7
Diodes Incorporated
DN0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3946DPJ-7
Diodes Incorporated
DP0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3904DJ-7
Diodes Incorporated
DST847BDJ-7
Diodes Incorporated
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCU324C8G
Intel
EP3C55F780I7
Intel
EP1C6Q240I7N
Intel