casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC847C/DG/B3,215
codice articolo del costruttore | BC847C/DG/B3,215 |
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Numero di parte futuro | FT-BC847C/DG/B3,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC847C/DG/B3,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC847C/DG/B3,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC847C/DG/B3,215-FT |
2SA1836-T1-A
Renesas Electronics America
2SA1871-T1-AZ
Renesas Electronics America
2SA2127-AEX
ON Semiconductor
2SB1030A
Panasonic Electronic Components
2SB1030ARA
Panasonic Electronic Components
2SB892T-AE
ON Semiconductor
2SC2334(13)-S6-AZ
Renesas Electronics America
2SC3665-Y(T2NSW,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3665-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3665-Y,T2NSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF10K10ATC144-1N
Intel
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SFE144C8G
Intel
5AGXMA3D4F27C5N
Intel
A42MX16-PL84A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM81TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29E1HG
Intel