casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC847B/DG/B3,215
codice articolo del costruttore | BC847B/DG/B3,215 |
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Numero di parte futuro | FT-BC847B/DG/B3,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC847B/DG/B3,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC847B/DG/B3,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC847B/DG/B3,215-FT |
2SA1827S-AY
ON Semiconductor
2SA1836-T1-A
Renesas Electronics America
2SA1871-T1-AZ
Renesas Electronics America
2SA2127-AEX
ON Semiconductor
2SB1030A
Panasonic Electronic Components
2SB1030ARA
Panasonic Electronic Components
2SB892T-AE
ON Semiconductor
2SC2334(13)-S6-AZ
Renesas Electronics America
2SC3665-Y(T2NSW,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3665-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
EPF6024ATC144-2N
Intel
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation