casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC 817-16 E6327
codice articolo del costruttore | BC 817-16 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BC 817-16 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC 817-16 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 330mW |
Frequenza - Transizione | 170MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC 817-16 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC 817-16 E6327-FT |
2SC3324GRTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DSA200100L
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DSA2002S0L
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LCMXO2-1200HC-4TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-L1FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XCS30-4BG256C
Xilinx Inc.
10AX115S1F45I2SGES
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