casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC 808-40W E6327
codice articolo del costruttore | BC 808-40W E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BC 808-40W E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC 808-40W E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC 808-40W E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC 808-40W E6327-FT |
BC817SUE6327HTSA1
Infineon Technologies
PBSS301ND,115
Nexperia USA Inc.
PBSS303ND,115
Nexperia USA Inc.
PBSS303PD,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4350D,125
Nexperia USA Inc.
PBSS5420D,115
Nexperia USA Inc.
PBSS5440D,115
Nexperia USA Inc.
PBSS9110D,115
Nexperia USA Inc.
NSM6056MT1G
ON Semiconductor
MMBT2131T1G
ON Semiconductor