casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC 808-40 E6327
codice articolo del costruttore | BC 808-40 E6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BC 808-40 E6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC 808-40 E6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 330mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC 808-40 E6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC 808-40 E6327-FT |
TBC857B,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC2712-OTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC3324GRTE85LF
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DSA200100L
Panasonic Electronic Components
DSA2002S0L
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DSA2401R0L
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DSA2G01B0L
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DSC200100L
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DSC2001Q0L
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XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
AX250-FG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2N
Intel
5SGSMD6K3F40C2N
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5SGSMD5H3F35C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C2LN
Intel
XC6VSX315T-L1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation