casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC 808-25W H6327
codice articolo del costruttore | BC 808-25W H6327 |
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Numero di parte futuro | FT-BC 808-25W H6327 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC 808-25W H6327 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC 808-25W H6327 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC 808-25W H6327-FT |
PBSS4350D,115
Nexperia USA Inc.
BC817SUE6327HTSA1
Infineon Technologies
PBSS301ND,115
Nexperia USA Inc.
PBSS303ND,115
Nexperia USA Inc.
PBSS303PD,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4350D,125
Nexperia USA Inc.
PBSS5420D,115
Nexperia USA Inc.
PBSS5440D,115
Nexperia USA Inc.
PBSS9110D,115
Nexperia USA Inc.
NSM6056MT1G
ON Semiconductor
LCMXO640C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S100E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7H3F35C2
Intel
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
Intel
5CGXBC9E6F35C7N
Intel