casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC807-40Q-7-F
codice articolo del costruttore | BC807-40Q-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-BC807-40Q-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC807-40Q-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 310mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC807-40Q-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC807-40Q-7-F-FT |
BC817-16Q-7-F
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F
Diodes Incorporated
MMBT2222A-7-F
Diodes Incorporated
MMBT3906-7-F
Diodes Incorporated
MMBTA06-7-F
Diodes Incorporated
FMMT494TC
Diodes Incorporated
MMBT4401-7-F
Diodes Incorporated
DSS4240T-7
Diodes Incorporated
MMBT2907A-7-F
Diodes Incorporated
MMBT5401-7-F
Diodes Incorporated
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FCSG325
Microsemi Corporation
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
Intel
EP20K400BC652-1
Intel
EP2S180F1020I4
Intel