casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC807-40Q-7-F
codice articolo del costruttore | BC807-40Q-7-F |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BC807-40Q-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC807-40Q-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 310mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC807-40Q-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC807-40Q-7-F-FT |
BC817-16Q-7-F
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F
Diodes Incorporated
MMBT2222A-7-F
Diodes Incorporated
MMBT3906-7-F
Diodes Incorporated
MMBTA06-7-F
Diodes Incorporated
FMMT494TC
Diodes Incorporated
MMBT4401-7-F
Diodes Incorporated
DSS4240T-7
Diodes Incorporated
MMBT2907A-7-F
Diodes Incorporated
MMBT5401-7-F
Diodes Incorporated
LCMXO640E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
A42MX36-FBG272
Microsemi Corporation
AFS1500-2FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2LN
Intel
EP4SGX290NF45C4
Intel
EP3SL110F1152I4L
Intel
XC6VLX195T-1FF1156I
Xilinx Inc.