casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC638,116
codice articolo del costruttore | BC638,116 |
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Numero di parte futuro | FT-BC638,116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC638,116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
Potenza - Max | 830mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC638,116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC638,116-FT |
BC546B,126
NXP USA Inc.
BC546BBU
ON Semiconductor
BC546BG
ON Semiconductor
BC546BU
ON Semiconductor
BC546CBU
ON Semiconductor
BC546_J18Z
ON Semiconductor
BC547
ON Semiconductor
BC547,116
NXP USA Inc.
BC547A
ON Semiconductor
BC547ABU
ON Semiconductor
AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
Xilinx Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
Intel
EPF8282ALC84-4N
Intel
EPF8452AQC160-4
Intel
EP4SGX180FF35I3
Intel