casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC636TAR
codice articolo del costruttore | BC636TAR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BC636TAR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC636TAR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC636TAR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC636TAR-FT |
BC548BTFR
ON Semiconductor
BC548BZL1
ON Semiconductor
BC548BZL1G
ON Semiconductor
BC548B_J35Z
ON Semiconductor
BC548CTAR
ON Semiconductor
BC548CTF
ON Semiconductor
BC548CTFR
ON Semiconductor
BC548CZL1
ON Semiconductor
BC548CZL1G
ON Semiconductor
BC548C_J35Z
ON Semiconductor
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP1S25F672C7N
Intel
10AX027H3F34I2LG
Intel
5SGXEA7H3F35C2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C3N
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation