casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC635-16,126
codice articolo del costruttore | BC635-16,126 |
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Numero di parte futuro | FT-BC635-16,126 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC635-16,126 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
Potenza - Max | 830mW |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC635-16,126 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC635-16,126-FT |
BC517
ON Semiconductor
BC517,116
NXP USA Inc.
BC517G
ON Semiconductor
BC517_L34Z
ON Semiconductor
BC546
ON Semiconductor
BC546B,116
NXP USA Inc.
BC546B,126
NXP USA Inc.
BC546BBU
ON Semiconductor
BC546BG
ON Semiconductor
BC546BU
ON Semiconductor
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
AX250-FG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2N
Intel
5SGSMD6K3F40C2N
Intel
5SGSMD5H3F35C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C2LN
Intel
XC6VSX315T-L1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation