casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC635-16,126
codice articolo del costruttore | BC635-16,126 |
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Numero di parte futuro | FT-BC635-16,126 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC635-16,126 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
Potenza - Max | 830mW |
Frequenza - Transizione | 180MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC635-16,126 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC635-16,126-FT |
BC517
ON Semiconductor
BC517,116
NXP USA Inc.
BC517G
ON Semiconductor
BC517_L34Z
ON Semiconductor
BC546
ON Semiconductor
BC546B,116
NXP USA Inc.
BC546B,126
NXP USA Inc.
BC546BBU
ON Semiconductor
BC546BG
ON Semiconductor
BC546BU
ON Semiconductor
XCS10-4TQ144C
Xilinx Inc.
XCV600E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P600-FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP1M120F484C8ES
Intel
EPF10K100EFC484-3
Intel
EP2SGX90EF1152C4
Intel
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation