casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC516-D27Z
codice articolo del costruttore | BC516-D27Z |
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Numero di parte futuro | FT-BC516-D27Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC516-D27Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30000 @ 20mA, 2V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC516-D27Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC516-D27Z-FT |
BC560CTA
ON Semiconductor
BC556BTA
ON Semiconductor
BC556ATA
ON Semiconductor
BC557ATA
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2N3904TAR
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BC546ATA
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2N3906TAR
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PN2222TA
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BC640TA
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SS8550DTA
ON Semiconductor
XCS10-4TQ144C
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XCV600E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P600-FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
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EP1M120F484C8ES
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EPF10K100EFC484-3
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EP2SGX90EF1152C4
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XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation