casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC327-016G
codice articolo del costruttore | BC327-016G |
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Numero di parte futuro | FT-BC327-016G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC327-016G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | 260MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC327-016G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC327-016G-FT |
2PC1815GR,116
NXP USA Inc.
2PC1815GR,126
NXP USA Inc.
2PC1815Y,126
NXP USA Inc.
2SA07200RA
Panasonic Electronic Components
2SA0720ARA
Panasonic Electronic Components
2SA10180RA
Panasonic Electronic Components
2SA11230RA
Panasonic Electronic Components
2SA11270RA
Panasonic Electronic Components
2SA17670QA
Panasonic Electronic Components
2SA2127-AE
ON Semiconductor
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel