casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC212_D27Z
codice articolo del costruttore | BC212_D27Z |
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Numero di parte futuro | FT-BC212_D27Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC212_D27Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC212_D27Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC212_D27Z-FT |
2N5551RL1G
ON Semiconductor
2N5551RLRA
ON Semiconductor
2N5551RLRAG
ON Semiconductor
2N5551RLRM
ON Semiconductor
2N5551RLRMG
ON Semiconductor
2N5551RLRP
ON Semiconductor
2N5551RLRPG
ON Semiconductor
2N5551TAR
ON Semiconductor
2N5551ZL1
ON Semiconductor
2N5551ZL1G
ON Semiconductor
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300HF40I4N
Intel
EP3SE260H780C3N
Intel
5SGXEA4H1F35I2N
Intel
XC5VSX35T-2FF665I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation