casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Capacità variabile (Varicaps, Varactor) / BBY6605WH6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BBY6605WH6327XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BBY6605WH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BBY6605WH6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Capacità @ Vr, F | 13.5pF @ 4.5V, 1MHz |
Rapporto di capacità | 5.41 |
Condizione del rapporto di capacità | C1/C4.5 |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 12V |
Diodo | 1 Pair Common Cathode |
Q @ Vr, F | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY6605WH6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BBY6605WH6327XTSA1-FT |
MV104
ON Semiconductor
MV104G
ON Semiconductor
MV209
ON Semiconductor
MV209G
ON Semiconductor
MV2101
ON Semiconductor
MV2101G
ON Semiconductor
MV2105
ON Semiconductor
MV2109G
ON Semiconductor
MV2109RLRAG
ON Semiconductor
MV104RLRAG
ON Semiconductor
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FG676I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
AGLN060V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
Intel
EP4CE40F23C9L
Intel
EP4CE10F17C6
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
EP2AGX95EF29C6N
Intel