casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Capacità variabile (Varicaps, Varactor) / BBY5102VH6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BBY5102VH6327XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BBY5102VH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BBY5102VH6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Capacità @ Vr, F | 3.7pF @ 4V, 1MHz |
Rapporto di capacità | 2.2 |
Condizione del rapporto di capacità | C1/C4 |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 7V |
Diodo | Single |
Q @ Vr, F | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SC79-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BBY5102VH6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BBY5102VH6327XTSA1-FT |
BB179,115
NXP USA Inc.
BB179,135
NXP USA Inc.
BB179,315
NXP USA Inc.
BB179,335
NXP USA Inc.
BB179B,115
NXP USA Inc.
BB179B,135
NXP USA Inc.
BB179B,315
NXP USA Inc.
BB179B,335
NXP USA Inc.
BB182,115
NXP USA Inc.
BB182,135
NXP USA Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
10M50DCF672C7G
Intel
EP4SE820H35I4
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29C5N
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel
5SGXMA3H1F35C2N
Intel