casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Capacità variabile (Varicaps, Varactor) / BB 814 B6327 GR1
codice articolo del costruttore | BB 814 B6327 GR1 |
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Numero di parte futuro | FT-BB 814 B6327 GR1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BB 814 B6327 GR1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Capacità @ Vr, F | 22.7pF @ 8V, 1MHz |
Rapporto di capacità | 2.25 |
Condizione del rapporto di capacità | C2/C8 |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 18V |
Diodo | 1 Pair Common Cathode |
Q @ Vr, F | 200 @ 2V, 100MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB 814 B6327 GR1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BB 814 B6327 GR1-FT |
MV104
ON Semiconductor
MV104G
ON Semiconductor
MV209
ON Semiconductor
MV209G
ON Semiconductor
MV2101
ON Semiconductor
MV2101G
ON Semiconductor
MV2105
ON Semiconductor
MV2109G
ON Semiconductor
MV2109RLRAG
ON Semiconductor
MV104RLRAG
ON Semiconductor
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG320C
Xilinx Inc.
EP3C25F256A7N
Intel
10AX027E3F29I2LG
Intel
5SGXEBBR2H43I2
Intel
5SGXMA4K3F35C2LN
Intel
AX1000-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL125V5-FG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29C9LN
Intel