codice articolo del costruttore | BAY73 |
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Numero di parte futuro | FT-BAY73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAY73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 125V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAY73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAY73-FT |
BAT5402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS3005B02VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7002VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6202VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS1602VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS5202VH6433XTMA1
Infineon Technologies
BAS 16-02V E6327
Infineon Technologies
BAS 3005A-02V E6327
Infineon Technologies
BAS 3005B-02V E6327
Infineon Technologies
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel