casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAW56SB6327XT
codice articolo del costruttore | BAW56SB6327XT |
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Numero di parte futuro | FT-BAW56SB6327XT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAW56SB6327XT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 2 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150nA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT363-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56SB6327XT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAW56SB6327XT-FT |
DSA70C150HB
IXYS
DSA80C45HB
IXYS
DSB30C45HB
IXYS
DSB60C30HB
IXYS
DSB60C45HB
IXYS
DSB60C60HB
IXYS
DSB80C45HB
IXYS
DPG60C300HB
IXYS
DPG60C400HB
IXYS
DPF80C200HB
IXYS
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
Intel
EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation