casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAW56QAZ
codice articolo del costruttore | BAW56QAZ |
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Numero di parte futuro | FT-BAW56QAZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAW56QAZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 180mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010D-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56QAZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAW56QAZ-FT |
MBRB2535CTL
ON Semiconductor
MBRB2535CTLT4
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MBRB2545CTT4
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MBRB3030CT
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MBRB3030CTL
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MBRB3030CTT4
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MURB1620CTR
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MURB1660CT
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MURB1660CTT4
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A40MX02-3VQ80
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LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3PQ208I
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XC7S50-1FGGA484C
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XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
AT6002-2AI
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5SGXMB5R2F43C3N
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XC5VLX110-1FFG1760I
Xilinx Inc.
5CEBA7F23C8N
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EP4SGX230DF29C3NES
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