casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAW56-7
codice articolo del costruttore | BAW56-7 |
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Numero di parte futuro | FT-BAW56-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAW56-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 300mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAW56-7-FT |
MMBD4448HTA-7-F
Diodes Incorporated
SDMP0340LCT-7-F
Diodes Incorporated
BAS70-04T-7-F
Diodes Incorporated
BAV199T-7-F
Diodes Incorporated
BAT54ST-7-F
Diodes Incorporated
BAT54CT-7-F
Diodes Incorporated
BAV99T-7-F
Diodes Incorporated
BAV170T-7-F
Diodes Incorporated
BAS70-05T-7-F
Diodes Incorporated
BAV70T-7-F
Diodes Incorporated
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel