casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAW101S,115
codice articolo del costruttore | BAW101S,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAW101S,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAW101S,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150nA @ 250V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW101S,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAW101S,115-FT |
CD611616C
Powerex Inc.
CD611616B
Powerex Inc.
CD610816B
Powerex Inc.
CD412499C
Powerex Inc.
CD411699C
Powerex Inc.
CD411299B
Powerex Inc.
LQA10N200C
Power Integrations
LQA20N150C
Power Integrations
LQA20N200C
Power Integrations
LQA30B200C
Power Integrations
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V1000-5FG256I
Xilinx Inc.
APA600-FG256
Microsemi Corporation
EP1S25B672C7N
Intel
EP1S20F484C6N
Intel
EP4SGX290FH29C3N
Intel
XC2VP7-5FF672C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation