casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV99W/DG/B3,115
codice articolo del costruttore | BAV99W/DG/B3,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV99W/DG/B3,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV99W/DG/B3,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 150mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99W/DG/B3,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV99W/DG/B3,115-FT |
MBR30045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30080CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10005CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10005CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10010CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10010CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10020CT
GeneSiC Semiconductor
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3PE3000-FGG484I
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6UWG36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP3C120F484I7
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXMA3E3H29I3LN
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EP4CGX30BF14C8
Intel
10M02DCV36I7G
Intel