casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV99S/DG/B3,115
codice articolo del costruttore | BAV99S/DG/B3,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV99S/DG/B3,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV99S/DG/B3,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 2 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99S/DG/B3,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV99S/DG/B3,115-FT |
MBR300200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30080CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10005CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10005CTR
GeneSiC Semiconductor
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K50SFC256-2X
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel