casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV99S/DG/B3,115
codice articolo del costruttore | BAV99S/DG/B3,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV99S/DG/B3,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV99S/DG/B3,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 2 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99S/DG/B3,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV99S/DG/B3,115-FT |
MBR300200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30080CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10005CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10005CTR
GeneSiC Semiconductor
XC3S200-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC4028XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
AX500-FG484I
Microsemi Corporation
APA300-CQ352B
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
5SGXEA7N3F40I3N
Intel
5AGXMA5D4F27C4N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
A40MX04-2PL44
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation