casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV99S/DG/B3,115
codice articolo del costruttore | BAV99S/DG/B3,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV99S/DG/B3,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV99S/DG/B3,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 2 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99S/DG/B3,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV99S/DG/B3,115-FT |
MBR300200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30060CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30080CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10005CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10005CTR
GeneSiC Semiconductor
A54SX32-TQG144
Microsemi Corporation
XC5204-6VQ100C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
EP4CE22F17I7N
Intel
XCV50-6BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3CSG324E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel