casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV99,LM
codice articolo del costruttore | BAV99,LM |
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Numero di parte futuro | FT-BAV99,LM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV99,LM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 215mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99,LM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV99,LM-FT |
MBR300100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR300150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR300150CTR
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MBR300200CT
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MBR300200CTR
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MBR30040CT
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MBR30040CTR
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MBR30045CTR
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MBR30060CT
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MBR30060CTR
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A54SX32A-FTQ144
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EX64-FTQ100
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XC6SLX100-2FGG676C
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5SGSMD5K2F40C2LN
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XC7VX690T-3FFG1158E
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XC7VX485T-1FFG1930I
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XC4VLX100-11FF1148I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I1HG
Intel