casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV99,LM
codice articolo del costruttore | BAV99,LM |
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Numero di parte futuro | FT-BAV99,LM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV99,LM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 215mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99,LM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV99,LM-FT |
MBR300100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR300150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR300150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR300200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR300200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30040CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30060CTR
GeneSiC Semiconductor
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel