casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV70LT1G
codice articolo del costruttore | BAV70LT1G |
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Numero di parte futuro | FT-BAV70LT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV70LT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70LT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV70LT1G-FT |
NRTSV20H100CTG
ON Semiconductor
MBR60H100CTG
ON Semiconductor
NTSV20H120CTG
ON Semiconductor
MBR2535CTLG
ON Semiconductor
MUR1620CTRG
ON Semiconductor
MUR1620CTG
ON Semiconductor
MUR1660CTG
ON Semiconductor
MBR1545CTG
ON Semiconductor
MBR2545CTG
ON Semiconductor
NRTSV30H120CTG
ON Semiconductor
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel