casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV70,215
codice articolo del costruttore | BAV70,215 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV70,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV70,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 215mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV70,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV70,215-FT |
BYV34-400,127
WeEn Semiconductors
BYQ28E-200,127
WeEn Semiconductors
BYV32E-150,127
WeEn Semiconductors
BYQ28E-200E,127
WeEn Semiconductors
BYV34-500,127
WeEn Semiconductors
BYC10-600CT,127
WeEn Semiconductors
BYQ30E-200,127
WeEn Semiconductors
BYT28-300,127
WeEn Semiconductors
BYT28-500,127
WeEn Semiconductors
BYV32E-100,127
WeEn Semiconductors
XC5204-6TQ144C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1VQ100
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQG100I
Microsemi Corporation
A1020B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel