casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV23QAZ
codice articolo del costruttore | BAV23QAZ |
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Numero di parte futuro | FT-BAV23QAZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV23QAZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente: media rettificata (Io) | 330mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010D-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV23QAZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV23QAZ-FT |
MBRF7H35-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H35HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H45-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF7H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation