casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV21,113
codice articolo del costruttore | BAV21,113 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV21,113 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV21,113 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | ALF2 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV21,113 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV21,113-FT |
FESF16CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel