casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV20,133
codice articolo del costruttore | BAV20,133 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV20,133 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV20,133 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | ALF2 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV20,133 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV20,133-FT |
FESF16FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel