casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV19W-G3-08
codice articolo del costruttore | BAV19W-G3-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV19W-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV19W-G3-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 200mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV19W-G3-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV19W-G3-08-FT |
MBR1635HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1645/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1645HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1650-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1650HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1660HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL1030-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBL1030HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel