casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV170Q-7-F
codice articolo del costruttore | BAV170Q-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-BAV170Q-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV170Q-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 125mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV170Q-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV170Q-7-F-FT |
MA4X19400L
Panasonic Electronic Components
MA4X72600L
Panasonic Electronic Components
DB4X314K0R
Panasonic Electronic Components
BAS7007E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAS 40-07 B6327
Infineon Technologies
BAS28E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAS70-07,215
Nexperia USA Inc.
BAT74,235
Nexperia USA Inc.
BAV23,235
Nexperia USA Inc.
BAW101E6327HTSA1
Infineon Technologies
LCMXO1200C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
10AX032H3F34I2SG
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I1SG
Intel
10AX115R3F40I3SGES
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel