casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV103 L0G
codice articolo del costruttore | BAV103 L0G |
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Numero di parte futuro | FT-BAV103 L0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV103 L0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV103 L0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV103 L0G-FT |
SK25A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK315A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel