casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV101 L1G
codice articolo del costruttore | BAV101 L1G |
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Numero di parte futuro | FT-BAV101 L1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV101 L1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV101 L1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV101 L1G-FT |
SK25A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel