casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAV101 L1G
codice articolo del costruttore | BAV101 L1G |
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Numero di parte futuro | FT-BAV101 L1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV101 L1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 250V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV101 L1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV101 L1G-FT |
SK25A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK25AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK29AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel