casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT760,115
codice articolo del costruttore | BAT760,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAT760,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT760,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 15V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT760,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT760,115-FT |
BY459-1500,127
NXP USA Inc.
PMLL4148L,115
Nexperia USA Inc.
BAS32L,135
Nexperia USA Inc.
BAS32L,115
Nexperia USA Inc.
PMLL4448,115
Nexperia USA Inc.
BAV102,115
Nexperia USA Inc.
BAV102,135
Nexperia USA Inc.
BAV103,115
Nexperia USA Inc.
BAV103,135
Nexperia USA Inc.
BAS45AL,115
Nexperia USA Inc.
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel