casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT760-7
codice articolo del costruttore | BAT760-7 |
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Numero di parte futuro | FT-BAT760-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT760-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 15V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT760-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT760-7-FT |
SBG1030L-T-F
Diodes Incorporated
B540CQ-13-F
Diodes Incorporated
B340Q-13-F
Diodes Incorporated
B360Q-13-F
Diodes Incorporated
S3MBQ-13-F
Diodes Incorporated
SDM02U30CSP-7
Diodes Incorporated
SBRT6U20LP-7
Diodes Incorporated
SBR4U130LP-7
Diodes Incorporated
B3L30LP-7
Diodes Incorporated
SBR3U100LP-7
Diodes Incorporated
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel