casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT64E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BAT64E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BAT64E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT64E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 120mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 6pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT64E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT64E6327HTSA1-FT |
RURD460S9A
ON Semiconductor
RURD660S9A-F085P
ON Semiconductor
RD0306T-TL-H
ON Semiconductor
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
CDBDSC51200-G
Comchip Technology
CDBDSC3650-G
Comchip Technology
CDBDSC5650-G
Comchip Technology
CDBDSC10650-G
Comchip Technology
CDBDSC8650-G
Comchip Technology
DLA10IM800UC
IXYS
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel