casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAT54XYH
codice articolo del costruttore | BAT54XYH |
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Numero di parte futuro | FT-BAT54XYH |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAT54XYH Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Pair Series Connection |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54XYH Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT54XYH-FT |
RF2001T2D
Rohm Semiconductor
RSX1001T3
Rohm Semiconductor
PD411611
Powerex Inc.
ND411626
Powerex Inc.
LDR10866
Powerex Inc.
LDR11066
Powerex Inc.
LDR11266
Powerex Inc.
LDR11466
Powerex Inc.
LDR11866
Powerex Inc.
LDR11666
Powerex Inc.
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel