casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAT54XV2T5G
codice articolo del costruttore | BAT54XV2T5G |
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Numero di parte futuro | FT-BAT54XV2T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT54XV2T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-523 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54XV2T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT54XV2T5G-FT |
NSR0320XV6T5G
ON Semiconductor
NSVR0320XV6T1G
ON Semiconductor
NSR0320XV6T1
ON Semiconductor
BAL99LT1G
ON Semiconductor
BAS116LT3G
ON Semiconductor
BAS20LT3G
ON Semiconductor
M1MA151KT1G
ON Semiconductor
M1MA152KT1G
ON Semiconductor
MMBD6050LT3G
ON Semiconductor
NSVBAS19LT1G
ON Semiconductor
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel